一、IGBT的定義絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）簡稱IGBT，是近年來高速發(fā)展的新型電力半導體場控自關(guān)斷功率器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，其單體或模塊主要應(yīng)用于UPS、電焊機、電機驅(qū)動等大功…

七．雪崩特性這些參數(shù)是MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)能承受瞬時過壓能力的指標。如果電壓超過漏源極限電壓將導致器件處在雪崩狀態(tài)，這個強度是由外殼溫度為25 ? C時漏極接非鉗位電感，器件非重復關(guān)斷所能承受的能量來定義的。圖7.1IRFB11N50A datasheet section 8這個能量水平在外殼溫度越高時越小。非重復意味著電路不應(yīng)設(shè)計成使功率…

六．動態(tài)參數(shù)圖6.1IRFB11N50A datasheet section 7如圖6.1，這組數(shù)據(jù)給出了結(jié)溫25度時的動態(tài)參數(shù)，這些參數(shù)反應(yīng)了器件在應(yīng)用時的真實狀態(tài)。這些動態(tài)參數(shù)是相輔相成的，有很多的內(nèi)在聯(lián)系，但大致可以分為四類：跨導，電容，電荷以及開關(guān)時間。對于高壓器件來說，其最高的開關(guān)頻率為100kHz，此時電容參數(shù)對它很重要。對于低壓…

五．靜態(tài)參數(shù)圖5.1IRFB11N50Adatasheet section 6這里給出了結(jié)溫25度時的靜態(tài)參數(shù)，這些參數(shù)常出現(xiàn)在各類測試數(shù)據(jù)報告中，是必測的參數(shù)之一。1．漏源擊穿電壓V(BR)DSS：這個參數(shù)就是我們常說的BVDSS，是指柵源電壓VGS為0時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓，也就是漏源間寄生二極管的反向擊穿電壓。一般定義為漏電…

一. 器件標稱及應(yīng)用說明圖1. IRFB11N50Adatasheet section 2Datasheet開篇一般都會給出本器件的性能標稱，即額定電流，額定電壓及最大RDS(ON)值。此外，還會結(jié)合本器件的性能特點，給出適合的應(yīng)用領(lǐng)域。這里給出的應(yīng)用領(lǐng)域是開關(guān)模式電源支持（SMPS），不間斷電源(UPS)及高速電源開關(guān)。二. 器件特點及封裝形式圖2.IRFB11N50…

一、VDMOSFET器件基本工作原理金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）在過去十幾年里，引發(fā)了電源工業(yè)的革命，大大促進了電子工業(yè)的發(fā)展。其中又以功率垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Power Vertical Double diffused MOSFET）近年來的發(fā)展最應(yīng)人注目。功率VDMOSF…